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中芯国际核心技术人员离职，曾主导开发N+1工艺

来源：爱乐趣网时间：2021年07月04日 22:06

原标题：中芯国际核心技术人员离职，曾主导开发N+1工艺

7月4日晚间，中芯国际发布公告称，核心技术人员吴金刚博士近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成离职手续。离职后，吴金刚博士不再担任任何职务。

中芯国际称，目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。

一位曾在中芯国际的研发人员告诉第一财经，吴金刚主导开发了中芯国际N+1工艺。根据中芯国际公告，吴金刚于2001年加入中芯国际，2001 年至 2014 年，历任助理总监、总监、资深总监，2014 年至今担任技术研发副总裁，任职期间负责参与中芯国际FinFET 先进工艺技术研发及管理工作。

在今年一季度财报会上，中芯国际透露，先进工艺方面，其第一代 FinFET工艺已经进入量产阶段，产品良率达到业界标准，多个衍生平台开发按计划进行，NTO（new tape out）稳步导入，正在实现产品的多样化目标；第二代FinFET工艺进入风险量产。不过，实体清单管制给先进制程带来的风险和不确定性也更大。

上述员工表示，吴金刚与中芯国际联席CEO梁孟松“不对付”或许是其离职原因之一，“在研发，梁孟松是土皇帝，说一不二。”

中芯国际称，公司研发团队总体相对稳定。吴金刚已完成与研发团队的工作交接，吴金刚的离职不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响，不会影响公司持有的核心技术。

公告显示，“吴金刚自离职次日起的12 个月内不得帮助公司竞争对手、为其工作、被其雇佣、向其提供服务、供应产品或充当公司的竞争对手；不加入任何与公司业务存在竞争关系的公司或为其提供服务，包括但不限于作为其投资人、股东、董事、监事、经理、顾问或扮演其他任何角色。”